Une haute tension à la grille du transistor attire les porteurs vers le bord du canal, provoquant des collisions avec l'interface oxyde qui ralentissent les porteurs. C'est ce qu'on appelle la dégradation de la mobilité.
Les porteurs approchent une vitesse maximale vsat lorsque des champs élevés sont appliqués. Ce phénomène est appelé saturation de vitesse.