Champ électrique critique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron
Ec = (2*Vsat)/µe
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Champ électrique critique - (Mesuré en Volt par mètre) - Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.
Saturation de la vitesse - (Mesuré en Mètre par seconde) - La saturation de vitesse est le phénomène dans lequel les porteurs s'approchent d'une vitesse maximale vsat lorsque des champs élevés sont appliqués.
Mobilité de l'électron - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons est définie comme l’ampleur de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Saturation de la vitesse: 10.12 Millimètre / seconde --> 0.01012 Mètre par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
Mobilité de l'électron: 49.8 Centimètre carré par volt seconde --> 0.00498 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ec = (2*Vsat)/µe --> (2*0.01012)/0.00498
Évaluer ... ...
Ec = 4.06425702811245
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
4.06425702811245 Volt par mètre -->0.00406425702811245 Volt par millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.00406425702811245 0.004064 Volt par millimètre <-- Champ électrique critique
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Champ électrique critique Formule

Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron
Ec = (2*Vsat)/µe

Qu'est-ce que la saturation de vitesse ?

La saturation de vitesse est la vitesse maximale qu'un porteur de charge dans un semi-conducteur, généralement un électron, atteint en présence de champs électriques très élevés. Lorsque cela se produit, on dit que le semi-conducteur est dans un état de saturation de vitesse.

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