Calculatrice A à Z
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Fabrication de circuits intégrés MOS
Déclencheur Schmitt
Fabrication de circuits intégrés bipolaires
✖
La constante dépendante du processus fait référence à un paramètre ou à une valeur qui caractérise un aspect spécifique du processus de fabrication et a un impact significatif sur les performances des dispositifs semi-conducteurs.
ⓘ
Constante dépendante du processus [k
1
]
+10%
-10%
✖
La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
ⓘ
Longueur d'onde en photolithographie [λ
l
]
Angström
Centimètre
Décamètre
Décimètre
Electron Compton Longueur d'onde
Hectomètre
Mètre
Micromètre
Millimètre
Nanomètre
Neutron Compton Longueur d'onde
Proton Compton Longueur d'onde
+10%
-10%
✖
L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.
ⓘ
Ouverture numérique [NA]
+10%
-10%
✖
La dimension critique dans la fabrication de semi-conducteurs fait référence à la plus petite taille de caractéristique ou à la plus petite taille mesurable dans un processus donné.
ⓘ
Dimension critique [CD]
Aln
Angstrom
Arpent
Unité astronomique
Attomètre
UA de longueur
Barleycorn
Million d'années lumineuses
Bohr Rayon
Câble (international)
Câble (UK)
Câble (US)
Calibre
Centimètre
Chaîne
Cubit (grec)
Coudée (longue)
Cubit (UK)
Décamètre
Décimètre
Distance de la Terre à la Lune
Distance de la Terre au Soleil
Rayon équatorial de la Terre
Rayon polaire terrestre
Electron Radius (Classique)
Aune
Examinateur
Brasse
Brasse
femtomètre
Fermi
Doigt (tissu)
Fingerbreadth
Pied
pied (Enquête US)
Furlong
Gigamètre
Main
Handbreadth
Hectomètre
Pouce
Ken
Kilomètre
Kiloparsec
Kiloyard
Ligue
Ligue (Statut)
Année-lumière
Lien
Mégamètre
Mégaparsec
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
mille
Mile
Mille (Romain)
Mile (enquête américaine)
Millimètre
Million d'années lumineuses
Clou (tissu)
Nanomètre
Ligue Nautique (int)
Ligue Nautique Royaume-Uni
Mile Nautique (International)
Nautical Mile (Royaume-Uni)
Parsec
Perche
Petameter
cicéro
Picomètre
Planck Longueur
Indiquer
Pôle
Trimestre
Roseau
Roseau (Long)
Barre
Roman Actus
Corde
Archin russe
Span (Tissu)
Rayon du soleil
Téramètre
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Tâche Vara
Cour
Yoctomètre
Yottamètre
Zeptomètre
Zettamètre
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Dimension critique
Formule
CD
=
k
1
⋅
λ
l
NA
Exemple
485.1883 nm
=
1.56
⋅
223 nm
0.717
Calculatrice
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👍
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Dimension critique Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Dimension critique
=
Constante dépendante du processus
*
Longueur d'onde en photolithographie
/
Ouverture numérique
CD
=
k
1
*
λ
l
/
NA
Cette formule utilise
4
Variables
Variables utilisées
Dimension critique
-
(Mesuré en Mètre)
- La dimension critique dans la fabrication de semi-conducteurs fait référence à la plus petite taille de caractéristique ou à la plus petite taille mesurable dans un processus donné.
Constante dépendante du processus
- La constante dépendante du processus fait référence à un paramètre ou à une valeur qui caractérise un aspect spécifique du processus de fabrication et a un impact significatif sur les performances des dispositifs semi-conducteurs.
Longueur d'onde en photolithographie
-
(Mesuré en Mètre)
- La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
Ouverture numérique
- L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Constante dépendante du processus:
1.56 --> Aucune conversion requise
Longueur d'onde en photolithographie:
223 Nanomètre --> 2.23E-07 Mètre
(Vérifiez la conversion
ici
)
Ouverture numérique:
0.717 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
CD = k
1
*λ
l
/NA -->
1.56*2.23E-07/0.717
Évaluer ... ...
CD
= 4.85188284518829E-07
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
4.85188284518829E-07 Mètre -->485.188284518829 Nanomètre
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
485.188284518829
≈
485.1883 Nanomètre
<--
Dimension critique
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Dimension critique
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Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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5 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices
Effet corporel dans MOSFET
Aller
Tension de seuil avec substrat
=
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
+
Paramètre d'effet corporel
*(
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
+
Tension appliquée au corps
)-
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
Aller
Courant de vidange
=
Paramètre de transconductance
/2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
)^2*(1+
Facteur de modulation de longueur de canal
*
Tension de source de drain
)
Temps de propagation
Aller
Temps de propagation
= 0.7*
Nombre de transistors passants
*((
Nombre de transistors passants
+1)/2)*
Résistance dans MOSFET
*
Capacité de charge
Résistance du canal
Aller
Résistance du canal
=
Longueur du transistor
/
Largeur du transistor
*1/(
Mobilité électronique
*
Densité des porteurs
)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Aller
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
Dimension critique Formule
Dimension critique
=
Constante dépendante du processus
*
Longueur d'onde en photolithographie
/
Ouverture numérique
CD
=
k
1
*
λ
l
/
NA
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