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Différence de potentiel de contact Calculatrice

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✖La température absolue représente la température du système.ⓘ Température absolue [T]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.ⓘ Concentration des donneurs [N_D]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque de porteurs fait référence à la concentration de porteurs de charge, majoritaires et minoritaires, d'un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.ⓘ Concentration intrinsèque de porteurs [n1_i]			+10% -10%

✖La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.ⓘ Différence de potentiel de contact [V₀]

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Différence de potentiel de contact Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension aux bornes de la jonction PN = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration intrinsèque de porteurs)^2)
V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 5 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Tension aux bornes de la jonction PN - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.
Température absolue - (Mesuré en Kelvin) - La température absolue représente la température du système.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
Concentration intrinsèque de porteurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque de porteurs fait référence à la concentration de porteurs de charge, majoritaires et minoritaires, d'un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Température absolue: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+22 1 par mètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donneurs: 1E+24 1 par mètre cube --> 1E+24 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration intrinsèque de porteurs: 1E+19 1 par mètre cube --> 1E+19 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2) --> ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)

Évaluer ... ...

V₀ = 0.623836767969216

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.623836767969216 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.623836767969216 ≈ 0.623837 Volt <-- Tension aux bornes de la jonction PN

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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