Conductivité de type P Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na)
Cette formule utilise 6 Variables
Variables utilisées
Conductivité Ohmique - (Mesuré en Siemens / mètre) - La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Mobilité du silicium dopé électroniquement - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration à l'équilibre de type P - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration à l'équilibre des électrons de type P sont les porteurs minoritaires et les trous sont les porteurs majoritaires.
Mobilité du silicium dopé par trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ​ici)
Mobilité du silicium dopé électroniquement: 0.38 Centimètre carré par volt seconde --> 3.8E-05 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration intrinsèque: 1.32 1 par centimètre cube --> 1320000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration à l'équilibre de type P: 7.1 1 par centimètre cube --> 7100000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Mobilité du silicium dopé par trous: 2.4 Centimètre carré par volt seconde --> 0.00024 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)
Évaluer ... ...
σ = 8.5666276056338
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
8.5666276056338 Siemens / mètre -->0.085666276056338 Mho / Centimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.085666276056338 0.085666 Mho / Centimètre <-- Conductivité Ohmique
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Rahul Gupta
Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab
Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))
Conductivité ohmique des impuretés
​ LaTeX ​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)
Impureté à concentration intrinsèque
​ LaTeX ​ Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)
Tension de rupture de l'émetteur collecteur
​ LaTeX ​ Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Conductivité de type P Formule

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Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)
σ = q*(μn*(ni^2/Na)+μp*Na)
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