PGCD de deux nombres

Conductivité de type N Calculatrice

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✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.ⓘ Mobilité du silicium dopé électroniquement [μ_n]			+10% -10%
✖La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.ⓘ Concentration d'équilibre de type N [N_d]			+10% -10%
✖La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.ⓘ Mobilité du silicium dopé par trous [μ_p]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Concentration intrinsèque [n_i]			+10% -10%

✖La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.ⓘ Conductivité de type N [σ]

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Conductivité de type N Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Conductivité Ohmique - (Mesuré en Siemens / mètre) - La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Mobilité du silicium dopé électroniquement - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Concentration d'équilibre de type N - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.
Mobilité du silicium dopé par trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité du silicium dopé électroniquement: 0.38 Centimètre carré par volt seconde --> 3.8E-05 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'équilibre de type N: 45 1 par centimètre cube --> 45000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité du silicium dopé par trous: 2.4 Centimètre carré par volt seconde --> 0.00024 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Concentration intrinsèque: 1.32 1 par centimètre cube --> 1320000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))

Évaluer ... ...

σ = 8.596464

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

8.596464 Siemens / mètre -->0.08596464 Mho / Centimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.08596464 ≈ 0.085965 Mho / Centimètre <-- Conductivité Ohmique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)