✖La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.ⓘ Mobilité des électrons à la surface du canal [μs] | | | +10% -10% |
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [Cox] | | | +10% -10% |
✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur de canal [Wc] | | | +10% -10% |
✖La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Longueur du canal [L] | | | +10% -10% |
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [Vox] | | | +10% -10% |