Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
G = 1/Rds
Cette formule utilise 2 Variables
Variables utilisées
Conductance du canal - (Mesuré en Siemens) - La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci.
Résistance linéaire - (Mesuré en Ohm) - Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Résistance linéaire: 0.166 Kilohm --> 166 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
G = 1/Rds --> 1/166
Évaluer ... ...
G = 0.00602409638554217
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 millisiemens (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
6.02409638554217 6.024096 millisiemens <-- Conductance du canal
(Calcul effectué en 00.006 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Prahalad Singh
Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
​ LaTeX ​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
Résistance finie entre le drain et la source
​ LaTeX ​ Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
Résistance de sortie de vidange
​ LaTeX ​ Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)

Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)
Gain de tension maximal au point de polarisation
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)
Gain de tension donné Tension de drain
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace
Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET Formule

​LaTeX ​Aller
Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
G = 1/Rds

Le MOSFET est-il un appareil symétrique?

Le MOSFET est un appareil symétrique, donc la réponse est oui. cependant, si dans la conception de votre circuit vous avez lié votre corps à l'une des bornes, vous voudriez que cette borne soit la source.

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