Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base Calculatrice

✖La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.ⓘ Concentration d'équilibre thermique [n_po]			+10% -10%
✖La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension base-émetteur [V_BE]			+10% -10%
✖La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.ⓘ Tension thermique [V_t]			+10% -10%

✖La concentration d'e- injectée de l'émetteur à la base est le nombre d'électrons passés de l'émetteur à la base.ⓘ Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base [N_p]

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Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilisées

Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'e- injectée de l'émetteur à la base est le nombre d'électrons passés de l'émetteur à la base.
Concentration d'équilibre thermique - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre thermique est définie comme la concentration de porteurs dans un amplificateur.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration d'équilibre thermique: 1E+18 1 par mètre cube --> 1E+18 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Tension thermique: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Évaluer ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.99140949952878E+18 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 par mètre cube <-- Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Capacité de diffusion de petit signal de BJT

LaTeX Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

LaTeX Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

LaTeX Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Capacité de jonction base-émetteur

LaTeX Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base Formule

LaTeX Aller

Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Comment les porteurs de charge minoritaires sont-ils distribués dans BJT?

Le fonctionnement physique du BJT peut être amélioré en considérant la répartition des porteurs de charge minoritaires dans la base et l'émetteur. Les profils de concentration d'électrons dans la base et les trous dans l'émetteur d'un transistor NPN fonctionnant en mode actif. Observez que puisque la concentration de dopage dans l'émetteur, ND, est beaucoup plus élevée que la concentration de dopage dans la base, NA, la concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base, n

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