Concentration dans la bande de conduction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi
n0 = Nc*fE
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Concentration d'électrons dans la bande de conduction - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'électrons dans la bande de conduction fait référence à la quantité ou à l'abondance d'électrons libres disponibles pour la conduction dans la bande de conduction d'un matériau semi-conducteur.
Densité effective d'état dans la bande de conduction - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité d'état effective dans la bande de conduction est définie comme le nombre de minima d'énergie équivalents dans la bande de conduction.
Fonction de Fermi - La fonction de Fermi est définie comme un terme utilisé pour décrire le sommet de la collection des niveaux d'énergie des électrons à la température du zéro absolu.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Densité effective d'état dans la bande de conduction: 640000000 1 par mètre cube --> 640000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Fonction de Fermi: 0.022 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
n0 = Nc*fE --> 640000000*0.022
Évaluer ... ...
n0 = 14080000
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
14080000 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
14080000 1.4E+7 1 par mètre cube <-- Concentration d'électrons dans la bande de conduction
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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Bande d'énergie et porteur de charge Calculatrices

Concentration d'électrons à l'état d'équilibre
​ LaTeX ​ Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs
Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb
​ LaTeX ​ Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)
Énergie de la bande de Valence
​ LaTeX ​ Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Déficit énergétique
​ LaTeX ​ Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence

Concentration dans la bande de conduction Formule

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Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi
n0 = Nc*fE

La concentration d'électrons est-elle égale à la concentration de trous dans ce silicium intrinsèque ?

Dans un semi-conducteur intrinsèque, le nombre d'électrons générés dans la bande de conduction est égal au nombre de trous générés dans la bande de valence. Par conséquent, la concentration de porteurs d'électrons est égale à la concentration de porteurs de trous.

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