Signal de mode commun du MOSFET étant donné la tension de sortie au drain Q2 Calculatrice

✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%
✖Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.ⓘ Signal d'entrée en mode commun [V_cin]			+10% -10%
✖La résistance de drain est la résistance vue dans la borne de drain d'un FET lorsqu'une tension est appliquée à la grille. C'est un paramètre important qui affecte les performances des circuits FET.ⓘ Résistance à la vidange [R_d]			+10% -10%

✖La tension de drain Q1 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q1 dans le circuit différentiel.ⓘ Signal de mode commun du MOSFET étant donné la tension de sortie au drain Q2 [v_o1]

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Signal de mode commun du MOSFET étant donné la tension de sortie au drain Q2 Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de vidange Q1 = (2*Résistance de sortie*Signal d'entrée en mode commun)/Résistance à la vidange
v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de vidange Q1 - (Mesuré en Volt) - La tension de drain Q1 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q1 dans le circuit différentiel.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Signal d'entrée en mode commun - (Mesuré en Volt) - Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.
Résistance à la vidange - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est la résistance vue dans la borne de drain d'un FET lorsqu'une tension est appliquée à la grille. C'est un paramètre important qui affecte les performances des circuits FET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Signal d'entrée en mode commun: 135 Volt --> 135 Volt Aucune conversion requise
Résistance à la vidange: 0.279 Kilohm --> 279 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d --> (2*4500*135)/279

Évaluer ... ...

v_o1 = 4354.83870967742

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4354.83870967742 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

4354.83870967742 ≈ 4354.839 Volt <-- Tension de vidange Q1

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Rapport de réjection en mode commun du MOS avec charge de miroir de courant

LaTeX Aller Mode commun Taux de réjection = Transconductance*(1/(1/Résistance de l'enroulement primaire dans le secondaire+1/Résistance de l'enroulement secondaire dans le primaire))*(2*Changement de transconductance*Résistance de sortie finie)

Rapport de réjection en mode commun du MOSFET étant donné la résistance

LaTeX Aller Mode commun Taux de réjection = (2*Transconductance*Résistance de sortie)/(Modification de la résistance au drain/Résistance à la vidange)

Rapport de rejet en mode commun du MOS avec charge de miroir de courant lorsque la résistance aux drains est égale

LaTeX Aller Mode commun Taux de réjection = (Transconductance*Résistance de sortie finie)*(Transconductance*Résistance à la source)

Signal de mode commun du MOSFET étant donné la résistance

LaTeX Aller Signal d'entrée en mode commun = (2*Résistance de sortie*Tension de sortie)/Résistance à la charge

Signal de mode commun du MOSFET étant donné la tension de sortie au drain Q2 Formule

LaTeX Aller

Tension de vidange Q1 = (2*Résistance de sortie*Signal d'entrée en mode commun)/Résistance à la vidange
v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d

Expliquez le fonctionnement du transistor NMOS.

Un transistor NMOS avec la tension aux bornes de la source de gaz> tension de seuil et avec une petite tension entre le drain et la source appliquée. L'appareil agit comme une résistance dont la valeur est déterminée par la tension aux bornes de la source de gaz. Plus précisément, la conductance du canal est proportionnelle à la tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil, et donc Id est proportionnelle à la tension (tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil) entre le drain et la source

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