Comment est obtenu le courant de fuite collecteur à émetteur?
Pour la configuration d'émetteur commune du transistor avec la jonction émetteur-base polarisée en direct et la jonction collecteur-base polarisée en inverse, la partie du courant d'émetteur qui atteint le collecteur est IC - ICEO (courant collecteur à émetteur). Ainsi, le courant de fuite est pris en compte et il se forme une expression que le courant de fuite collecteur-émetteur dans une configuration d'émetteur commune est (β 1) fois supérieur à celui dans une configuration de base commune.