Calculateur PPCM

Courant collecteur du transistor PNP Calculatrice

Ingénierie Chimie Financier La physique Plus >>

↳

Électronique Civil Électrique Electronique et instrumentation Plus >>

⤿

Circuits intégrés (CI)Amplificateurs Antenne et propagation des ondes Appareils optoélectroniques Plus >>

⤿

Fabrication de circuits intégrés bipolaires Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés MOS

✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.ⓘ Zone de jonction de la base de l'émetteur [A]			+10% -10%
✖La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.ⓘ Concentration d'équilibre de type N [N_d]			+10% -10%
✖La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.ⓘ Constante de diffusion pour PNP [D_p]			+10% -10%
✖La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.ⓘ Largeur de base [W_b]			+10% -10%

✖Le courant du collecteur est le courant qui traverse la borne du collecteur du transistor et est le courant qui est amplifié par le transistor.ⓘ Courant collecteur du transistor PNP [I_c]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Circuits intégrés (CI) Formule PDF PDF Image

Courant collecteur du transistor PNP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est le courant qui traverse la borne du collecteur du transistor et est le courant qui est amplifié par le transistor.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Zone de jonction de la base de l'émetteur - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.
Concentration d'équilibre de type N - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Zone de jonction de la base de l'émetteur: 1.75 place Centimètre --> 0.000175 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'équilibre de type N: 45 1 par centimètre cube --> 45000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08

Évaluer ... ...

I_c = 4.921875

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.921875 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

4.921875 Ampère <-- Courant du collecteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés bipolaires » Courant collecteur du transistor PNP

Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

< Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Courant collecteur du transistor PNP Formule

LaTeX Aller

Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!