Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur Calculatrice

✖Le courant de saturation est la densité du courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.ⓘ Courant de saturation [i_s]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de la jonction base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension aux bornes de la jonction base-émetteur [V_be]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur [i_c]

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Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilisées

Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité du courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Tension aux bornes de la jonction base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de la jonction base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de saturation: 0.01 Milliampère --> 1E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de la jonction base-émetteur: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_c = i_s*e^(V_be/V_t) --> 1E-05*e^(16.56/2)

Évaluer ... ...

i_c = 0.039441943819803

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.039441943819803 Ampère -->39.441943819803 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

39.441943819803 ≈ 39.44194 Milliampère <-- Courant du collecteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< Émetteur suiveur Calculatrices

Résistance de sortie de l'émetteur suiveur

LaTeX Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)

Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur

LaTeX Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Courant de saturation de l'émetteur suiveur

LaTeX Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur

LaTeX Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)

< Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert

LaTeX Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode

LaTeX Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))

Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode

LaTeX Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites

Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode

LaTeX Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1

Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur Formule

LaTeX Aller

Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)

Qu'est-ce qu'une région active?

La région active est la région dans laquelle les transistors ont de nombreuses applications. Ceci est également appelé une région linéaire. Un transistor dans cette région agit mieux comme un amplificateur. Cette région se situe entre la saturation et la coupure. Le transistor fonctionne dans une région inactive lorsque la jonction d'émetteur est polarisée en direct et la jonction de collecteur est polarisée en inverse.

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