Courant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Ic = Isat*e^(-VBE/Vt)*(1+VCE/VDD)
Cette formule utilise 1 Constantes, 6 Variables
Constantes utilisées
e - constante de Napier Valeur prise comme 2.71828182845904523536028747135266249
Variables utilisées
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite dans la jonction pn.
Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de saturation: 1.675 Milliampère --> 0.001675 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Tension thermique: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Aucune conversion requise
Tension collecteur-émetteur: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Aucune conversion requise
Tension d'alimentation: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ic = Isat*e^(-VBE/Vt)*(1+VCE/VDD) --> 0.001675*e^(-5.15/4.7)*(1+3.15/2.5)
Évaluer ... ...
Ic = 0.00126545696956445
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00126545696956445 Ampère -->1.26545696956445 Milliampère (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
1.26545696956445 1.265457 Milliampère <-- Courant de collecteur
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Courant de collecteur Calculatrices

Courant de collecteur lorsque le courant de saturation est dû à la tension continue
​ LaTeX ​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)-Courant de saturation pour CC*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)
Courant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPN
​ LaTeX ​ Aller Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Courant de collecteur utilisant le courant de fuite
​ LaTeX ​ Aller Courant de collecteur = (Courant de base*Gain de courant de l'émetteur commun)+Courant de fuite collecteur-émetteur
Courant de collecteur du transistor PNP lorsque le gain de courant de l'émetteur commun
​ LaTeX ​ Aller Courant de collecteur = Gain de courant d'émetteur commun forcé*Courant de base

Courant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNP Formule

​LaTeX ​Aller
Courant de collecteur = Courant de saturation*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)*(1+Tension collecteur-émetteur/Tension d'alimentation)
Ic = Isat*e^(-VBE/Vt)*(1+VCE/VDD)

Qu'est-ce que le transistor PNP?

Le transistor dans lequel un matériau de type n est dopé avec deux matériaux de type p tel type de transistor est appelé transistor PNP. C'est un appareil contrôlé par le courant. La petite quantité de courant de base contrôlait à la fois le courant de l'émetteur et du collecteur. Le transistor PNP a deux diodes à cristal connectées dos à dos. Le côté gauche de la diode est connu sous le nom de diode à base d'émetteur et le côté droit de la diode est appelé diode à base de collecteur.

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