Courant collecteur du transistor PNP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
Cette formule utilise 6 Variables
Variables utilisées
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est le courant qui traverse la borne du collecteur du transistor et est le courant qui est amplifié par le transistor.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Zone de jonction de la base de l'émetteur - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.
Concentration d'équilibre de type N - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ​ici)
Zone de jonction de la base de l'émetteur: 1.75 place Centimètre --> 0.000175 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Concentration d'équilibre de type N: 45 1 par centimètre cube --> 45000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ​ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08
Évaluer ... ...
Ic = 4.921875
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
4.921875 Ampère --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
4.921875 Ampère <-- Courant du collecteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Rahul Gupta
Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab
Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Conductivité de type N
​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))
Conductivité ohmique des impuretés
​ Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)
Impureté à concentration intrinsèque
​ Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)
Tension de rupture de l'émetteur collecteur
​ Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Courant collecteur du transistor PNP Formule

Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
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