Courant du collecteur étant donné le gain de courant Mosfet Calculatrice

✖Le gain de courant est le gain de courant continu d'un transistor à jonction bipolaire fonctionnant en mode actif direct.ⓘ Gain actuel [β_dc]			+10% -10%
✖La tension d'alimentation négative est une tension inférieure à la tension de référence à la terre dans un circuit.ⓘ Tension d'alimentation négative [V_ee]			+10% -10%
✖La tension de l'émetteur de base est la chute de tension aux bornes de la jonction base-émetteur d'un transistor à jonction bipolaire lorsqu'il est polarisé en direct.ⓘ Tension de l'émetteur de base [V_be]			+10% -10%
✖La résistance de base dans un circuit MOSFET est utilisée pour limiter la quantité de courant qui traverse la base du MOSFET.ⓘ Résistance de base [R_b]			+10% -10%
✖La résistance de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire est une résistance connectée entre la borne de l'émetteur du transistor et la masse ou le rail d'alimentation.ⓘ Résistance de l'émetteur [R_e]			+10% -10%

✖Le courant collecteur est le courant qui traverse le terminal collecteur du BJT.ⓘ Courant du collecteur étant donné le gain de courant Mosfet [I_c]

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Courant du collecteur étant donné le gain de courant Mosfet Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant du collecteur = (Gain actuel*(Tension d'alimentation négative-Tension de l'émetteur de base))/(Résistance de base+(Gain actuel+1)*Résistance de l'émetteur)
I_c = (β_dc*(V_ee-V_be))/(R_b+(β_dc+1)*R_e)
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant collecteur est le courant qui traverse le terminal collecteur du BJT.
Gain actuel - Le gain de courant est le gain de courant continu d'un transistor à jonction bipolaire fonctionnant en mode actif direct.
Tension d'alimentation négative - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation négative est une tension inférieure à la tension de référence à la terre dans un circuit.
Tension de l'émetteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension de l'émetteur de base est la chute de tension aux bornes de la jonction base-émetteur d'un transistor à jonction bipolaire lorsqu'il est polarisé en direct.
Résistance de base - (Mesuré en Ohm) - La résistance de base dans un circuit MOSFET est utilisée pour limiter la quantité de courant qui traverse la base du MOSFET.
Résistance de l'émetteur - (Mesuré en Ohm) - La résistance de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire est une résistance connectée entre la borne de l'émetteur du transistor et la masse ou le rail d'alimentation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Gain actuel: 1.21 --> Aucune conversion requise
Tension d'alimentation négative: 12.25 Volt --> 12.25 Volt Aucune conversion requise
Tension de l'émetteur de base: 10 Volt --> 10 Volt Aucune conversion requise
Résistance de base: 56 Kilohm --> 56000 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de l'émetteur: 2.8 Kilohm --> 2800 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_c = (β_dc*(V_ee-V_be))/(R_b+(β_dc+1)*R_e) --> (1.21*(12.25-10))/(56000+(1.21+1)*2800)

Évaluer ... ...

I_c = 4.37785424840805E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.37785424840805E-05 Ampère -->0.0437785424840805 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0437785424840805 ≈ 0.043779 Milliampère <-- Courant du collecteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -