Capacité de jonction collecteur-base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement
Ccb = Ccb0/(1+(VDB/Vbinc))^m
Cette formule utilise 5 Variables
Variables utilisées
Capacité de jonction collecteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.
Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base à tension nulle est la capacité à la jonction collecteur-base à tension nulle.
Tension de polarisation inverse - (Mesuré en Volt) - La tension de polarisation inverse signifie mettre une tension aux bornes d'une diode dans la direction opposée.
Tension intégrée - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée est simplement la différence des niveaux de Fermi dans les semi-conducteurs de type p et n avant qu'ils ne soient joints.
Coefficient de classement - Le coefficient de gradation est le paramètre estimé à l'aide de la courbe de gradation par analyse tamisée.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension: 2.3 microfarades --> 2.3E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension de polarisation inverse: 13 Volt --> 13 Volt Aucune conversion requise
Tension intégrée: 1.15 Volt --> 1.15 Volt Aucune conversion requise
Coefficient de classement: 0.4 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ccb = Ccb0/(1+(VDB/Vbinc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4
Évaluer ... ...
Ccb = 8.42760934851159E-07
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
8.42760934851159E-07 Farad -->0.842760934851159 microfarades (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.842760934851159 0.842761 microfarades <-- Capacité de jonction collecteur-base
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de diffusion de petit signal de BJT
​ LaTeX ​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)
Charge d'électrons stockée dans la base de BJT
​ LaTeX ​ Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur
Capacité de diffusion de petits signaux
​ LaTeX ​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance
Capacité de jonction base-émetteur
​ LaTeX ​ Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Capacité de jonction collecteur-base Formule

​LaTeX ​Aller
Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement
Ccb = Ccb0/(1+(VDB/Vbinc))^m

Qu'est-ce que la base du collecteur et l'émetteur?

La jonction émetteur-base injecte une grande quantité de porteurs de charge majoritaires dans la base car elle est fortement dopée et de taille moyenne. Collecteur - La section qui recueille la majeure partie du porteur de charge majoritaire fourni par l'émetteur est appelée un collecteur.

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