CMOS Moyenne Parcours Libre Calculatrice

✖La tension critique dans CMOS est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.ⓘ Tension critique dans CMOS [V_c]			+10% -10%
✖Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.ⓘ Champ électrique critique [E_c]			+10% -10%

✖Le libre parcours moyen est défini comme la distance moyenne parcourue par une particule en mouvement entre des impacts successifs, ce qui modifie sa direction, son énergie ou d'autres propriétés de la particule.ⓘ CMOS Moyenne Parcours Libre [L]

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CMOS Moyenne Parcours Libre Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
L = V_c/E_c
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Libre parcours moyen - (Mesuré en Mètre) - Le libre parcours moyen est défini comme la distance moyenne parcourue par une particule en mouvement entre des impacts successifs, ce qui modifie sa direction, son énergie ou d'autres propriétés de la particule.
Tension critique dans CMOS - (Mesuré en Volt) - La tension critique dans CMOS est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Champ électrique critique - (Mesuré en Volt par mètre) - Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension critique dans CMOS: 2.79 Volt --> 2.79 Volt Aucune conversion requise
Champ électrique critique: 0.004 Volt par millimètre --> 4 Volt par mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L = V_c/E_c --> 2.79/4

Évaluer ... ...

L = 0.6975

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.6975 Mètre -->697.5 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

697.5 Millimètre <-- Libre parcours moyen

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Largeur de diffusion de la source

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Zone de diffusion de la source

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CMOS Moyenne Parcours Libre

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Tension critique CMOS

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CMOS Moyenne Parcours Libre Formule

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Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
L = V_c/E_c

Quels sont les effets de la température sur le courant de saturation inverse et la tension de barrière ?

La température a un impact significatif sur le courant de saturation inverse et la tension de barrière dans les transistors à couches minces. Une augmentation de la température entraîne généralement une augmentation du courant de saturation inverse et une diminution de la tension de barrière. En effet, des températures plus élevées entraînent une augmentation de l'énergie cinétique du gaz, ce qui peut faciliter l'injection de porteurs de charge dans la région d'appauvrissement du transistor.

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