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Résistance du canal Calculatrice

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✖La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Longueur du transistor [L_t]			+10% -10%
✖La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Largeur du transistor [W_t]			+10% -10%
✖La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.ⓘ Mobilité électronique [μ_n]			+10% -10%
✖La densité de porteurs fait référence au nombre de porteurs de charge (électrons ou trous) présents dans le canal semi-conducteur.ⓘ Densité des porteurs [Q_on]			+10% -10%

✖La résistance du canal fait référence à la résistance offerte par le matériau semi-conducteur dans le canal à travers lequel le courant circule entre les bornes source et drain.ⓘ Résistance du canal [R_ch]

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Formule

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Résistance du canal

Formule

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Exemple

3.463203 Ω = \frac{3.2 μm}{5.5 μm} \cdot \frac{1}{30 m²/V*s \cdot 0.0056 electrons/m³}

Calculatrice

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Résistance du canal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Résistance du canal - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal fait référence à la résistance offerte par le matériau semi-conducteur dans le canal à travers lequel le courant circule entre les bornes source et drain.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Mobilité électronique - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
Densité des porteurs - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La densité de porteurs fait référence au nombre de porteurs de charge (électrons ou trous) présents dans le canal semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur du transistor: 3.2 Micromètre --> 3.2E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du transistor: 5.5 Micromètre --> 5.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité électronique: 30 Mètre carré par volt par seconde --> 30 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Densité des porteurs: 0.0056 Électrons par mètre cube --> 0.0056 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Évaluer ... ...

R_ch = 3.46320346320346

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.46320346320346 Ohm --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Résistance du canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)