Comment le modèle de canal long est-il dérivé ?
Le modèle de canal long est dérivé en rapportant le courant et la tension (IV) pour un transistor nMOS dans chacune des régions de coupure ou de sous-seuil, linéaire et de saturation. Le modèle suppose que la longueur du canal est suffisamment longue pour que le champ électrique latéral (le champ entre la source et le drain) soit relativement faible, ce qui n'est plus le cas dans les dispositifs nanométriques. Ce modèle est connu sous le nom de modèle à canal long, idéal, de premier ordre ou de Shockley.