Calculateur PGCD

Capacité porte à source Calculatrice

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Conception VLSI analogique Optimisation des matériaux VLSI

✖La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de porte [C_g]			+10% -10%
✖La capacité grille-base est définie comme la capacité observée entre la grille et la base de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité porte à base [C_gb]			+10% -10%
✖La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité de la porte à drainer [C_gd]			+10% -10%

✖La capacité porte à source est définie comme la capacité observée entre la grille et la source de la jonction du MOSFET.ⓘ Capacité porte à source [C_gs]

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Formule

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Capacité porte à source

Formule

C gs = C g - (C gb + C gd)

Exemple

14.61 μF = 59.61 μF - (35 μF + 10 μF)

Calculatrice

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Capacité porte à source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité porte à source = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité de la porte à drainer)
C_gs = C_g-(C_gb+C_gd)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité porte à source - (Mesuré en Farad) - La capacité porte à source est définie comme la capacité observée entre la grille et la source de la jonction du MOSFET.
Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Capacité porte à base - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-base est définie comme la capacité observée entre la grille et la base de la jonction du MOSFET.
Capacité de la porte à drainer - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de porte: 59.61 microfarades --> 5.961E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité porte à base: 35 microfarades --> 3.5E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la porte à drainer: 10 microfarades --> 1E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gs = C_g-(C_gb+C_gd) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1E-05)

Évaluer ... ...

C_gs = 1.461E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.461E-05 Farad -->14.61 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

14.61 microfarades <-- Capacité porte à source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Tension de vidange

Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))

Capacité porte à base

Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)

Tension de porte à canal

Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil

Porte vers le potentiel des collectionneurs

Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Capacité porte à source Formule

Capacité porte à source = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité de la porte à drainer)
C_gs = C_g-(C_gb+C_gd)

Qu'est-ce que la capacité parasite?

La capacité parasite, ou capacité parasite, est une capacité inévitable et généralement indésirable qui existe entre les parties d'un composant ou d'un circuit électronique simplement en raison de leur proximité les unes par rapport aux autres.

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