Potentiel intégré dans la région d’épuisement Calculatrice

✖La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration dopante de l'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.ⓘ Potentiel Fermi en vrac [Φ_f]			+10% -10%

✖La tension intégrée est une tension caractéristique qui existe aux bornes d’un dispositif semi-conducteur.ⓘ Potentiel intégré dans la région d’épuisement [Φ_B0]

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Potentiel intégré dans la région d’épuisement Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension intégrée = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac)))
Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f)))
Cette formule utilise 2 Constantes, 2 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
modulus - Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre., modulus

Variables utilisées

Tension intégrée - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée est une tension caractéristique qui existe aux bornes d’un dispositif semi-conducteur.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel Fermi en vrac - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration dopante de l'accepteur: 1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Potentiel Fermi en vrac: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f))) --> -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25)))

Évaluer ... ...

Φ_B0 = -1.57302306783086E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-1.57302306783086E-06 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-1.57302306783086E-06 ≈ -1.6E-6 Volt <-- Tension intégrée

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

LaTeX Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Potentiel de Fermi pour le type P

LaTeX Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Capacité équivalente à grande jonction de signal

LaTeX Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

LaTeX Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

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