Potentiel intégré Calculatrice

✖La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.ⓘ Tension thermique [V_t]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.ⓘ Concentration des donneurs [N_d]			+10% -10%
✖La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.ⓘ Concentration électronique intrinsèque [n_i]			+10% -10%

✖Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.ⓘ Potentiel intégré [ψ_o]

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Potentiel intégré Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Potentiel intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.
Concentration électronique intrinsèque - La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension thermique: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1100 1 par mètre cube --> 1100 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donneurs: 190000000000000 1 par mètre cube --> 190000000000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration électronique intrinsèque: 17 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Évaluer ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

18.8180761773197 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Potentiel intégré

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Potentiel intégré

LaTeX Aller Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))

Changement d'horloge de fréquence

LaTeX Aller Changement de fréquence d'horloge = Gain du VCO*Tension de contrôle VCO

Capacitance Onpath

LaTeX Aller Capacité en route = Capacité totale en scène-Capacité hors parcours

Courant statique

LaTeX Aller Courant statique = Puissance statique/Tension du collecteur de base

Potentiel intégré Formule

LaTeX Aller

Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Sur quel principe fonctionne le modèle de capacité de diffusion MOS ?

Un transistor MOS peut être considéré comme un dispositif à quatre bornes avec des capacités entre chaque paire de bornes. La capacité de grille comprend une composante intrinsèque (au corps, à la source et au drain, ou à la source seule, selon le régime de fonctionnement) et des termes de chevauchement avec la source et le drain. La source et le drain ont une capacité de diffusion parasite vers le corps.

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