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Tension de rupture de l'émetteur collecteur Calculatrice

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✖La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.ⓘ Tension de rupture de la base du collecteur [V_cb]			+10% -10%
✖Le gain de courant du BJT est utilisé pour décrire les propriétés d'amplification du transistor. Il indique dans quelle mesure le courant du collecteur est amplifié par rapport au courant de base.ⓘ Gain actuel du BJT [i_g]			+10% -10%
✖Le numéro racine représente une constante ou un facteur associé au transistor.ⓘ Numéro racine [n]			+10% -10%

✖La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.ⓘ Tension de rupture de l'émetteur collecteur [V_ce]

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Tension de rupture de l'émetteur collecteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Tension de rupture de la base du collecteur - (Mesuré en Volt) - La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d'un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor.
Gain actuel du BJT - (Mesuré en Volt) - Le gain de courant du BJT est utilisé pour décrire les propriétés d'amplification du transistor. Il indique dans quelle mesure le courant du collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Numéro racine - Le numéro racine représente une constante ou un facteur associé au transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de rupture de la base du collecteur: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Aucune conversion requise
Gain actuel du BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Aucune conversion requise
Numéro racine: 2 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Évaluer ... ...

V_ce = 2.10360235242853

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.10360235242853 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés bipolaires » Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur Formule

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Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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