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Effet corporel dans MOSFET Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).ⓘ Tension de seuil avec polarisation de corps nulle [V_th]			+10% -10%
✖Le paramètre d'effet corporel est un paramètre qui caractérise la sensibilité de la tension de seuil du MOSFET.ⓘ Paramètre d'effet corporel [γ]			+10% -10%
✖Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.ⓘ Potentiel Fermi en vrac [Φ_f]			+10% -10%
✖La tension appliquée au corps est la tension appliquée à la borne du corps. Cette tension peut avoir un impact significatif sur le comportement et les performances du MOSFET.ⓘ Tension appliquée au corps [V_bs]			+10% -10%

✖La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain.ⓘ Effet corporel dans MOSFET [V_t]

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Effet corporel dans MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension de seuil avec substrat - (Mesuré en Volt) - La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain.
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).
Paramètre d'effet corporel - Le paramètre d'effet corporel est un paramètre qui caractérise la sensibilité de la tension de seuil du MOSFET.
Potentiel Fermi en vrac - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.
Tension appliquée au corps - (Mesuré en Volt) - La tension appliquée au corps est la tension appliquée à la borne du corps. Cette tension peut avoir un impact significatif sur le comportement et les performances du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil avec polarisation de corps nulle: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Aucune conversion requise
Paramètre d'effet corporel: 0.56 --> Aucune conversion requise
Potentiel Fermi en vrac: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise
Tension appliquée au corps: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Évaluer ... ...

V_t = 3.96258579757846

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.96258579757846 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Volt <-- Tension de seuil avec substrat

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

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Effet corporel dans MOSFET

LaTeX Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

LaTeX Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)