PGCD de trois nombres

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base Calculatrice

Ingénierie Chimie Financier La physique Plus >>

↳

Électronique Civil Électrique Electronique et instrumentation Plus >>

⤿

Circuits intégrés (CI)Amplificateurs Antenne et propagation des ondes Appareils optoélectroniques Plus >>

⤿

Fabrication de circuits intégrés bipolaires Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés MOS

✖La largeur physique fait référence à la largeur de la région du canal entre les bornes source et drain. Cette largeur de canal détermine la capacité de transport de courant du MOSFET.ⓘ Largeur physique [W_p]			+10% -10%
✖La longueur de diffusion électronique est un concept utilisé en physique des semi-conducteurs pour décrire la distance moyenne parcourue par un électron avant de subir une diffusion ou une recombinaison.ⓘ Longueur de diffusion électronique [L_e]			+10% -10%

✖Le facteur de transport de base nous indique quelle fraction du courant électronique injecté dans la base parvient réellement à la jonction du collecteur.ⓘ Facteur de transport de base étant donné la largeur de base [α_T]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Circuits intégrés (CI) Formule PDF PDF Image

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Facteur de transport de base - Le facteur de transport de base nous indique quelle fraction du courant électronique injecté dans la base parvient réellement à la jonction du collecteur.
Largeur physique - (Mesuré en Mètre) - La largeur physique fait référence à la largeur de la région du canal entre les bornes source et drain. Cette largeur de canal détermine la capacité de transport de courant du MOSFET.
Longueur de diffusion électronique - (Mesuré en Mètre) - La longueur de diffusion électronique est un concept utilisé en physique des semi-conducteurs pour décrire la distance moyenne parcourue par un électron avant de subir une diffusion ou une recombinaison.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur physique: 1.532 Mètre --> 1.532 Mètre Aucune conversion requise
Longueur de diffusion électronique: 1.2 Mètre --> 1.2 Mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Évaluer ... ...

α_T = 0.185061111111111

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.185061111111111 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Facteur de transport de base

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés bipolaires » Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)