Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde
γp = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Nd)/Cox
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Paramètre d'effet de backgate - Le paramètre d'effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l'amplification, la commutation et à d'autres fins.
Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de donneur est la physique des semi-conducteurs et fait référence au nombre d'atomes d'impuretés donneurs par unité de volume d'un matériau semi-conducteur.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Concentration des donateurs: 1.9E+20 1 par mètre cube --> 1.9E+20 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
γp = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Nd)/Cox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008
Évaluer ... ...
γp = 0.0290154053183929
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0290154053183929 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.0290154053183929 0.029015 <-- Paramètre d'effet de backgate
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Aman Dhussawat
INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI
Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)
Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source
Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2
Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Formule

​LaTeX ​Aller
Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde
γp = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Nd)/Cox
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!