Efficacité de la baie Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire
E = (Abit*fabs)/A
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Efficacité de la baie - L'efficacité du tableau est définie comme la taille de la cellule binaire divisée par l'ACPB. Afin de normaliser cette métrique, indépendamment du nœud technologique.
Zone d'une cellule mémoire d'un bit - (Mesuré en Mètre carré) - La zone d’une cellule mémoire One Bit est définie comme la cellule mémoire, qui est un circuit électronique qui stocke un bit d’informations binaires. Il doit être configuré pour stocker un 1 logique et réinitialisé pour stocker un 0 logique.
Fréquence absolue - (Mesuré en Hertz) - La fréquence absolue est le nombre d'occurrences d'un point de données particulier dans un ensemble de données. Il représente le nombre réel de fois où une valeur spécifique apparaît dans les données.
Zone de cellule mémoire - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Zone d'une cellule mémoire d'un bit: 47.72 Millimètre carré --> 4.772E-05 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
Fréquence absolue: 10 Hertz --> 10 Hertz Aucune conversion requise
Zone de cellule mémoire: 542.27 Millimètre carré --> 0.00054227 Mètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
E = (Abit*fabs)/A --> (4.772E-05*10)/0.00054227
Évaluer ... ...
E = 0.880004425839526
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.880004425839526 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.880004425839526 0.880004 <-- Efficacité de la baie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Délai « XOR »
​ LaTeX ​ Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)
Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation
​ LaTeX ​ Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Capacité au sol
​ LaTeX ​ Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente
N-Bit Carry-Skip Adder
​ LaTeX ​ Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Efficacité de la baie Formule

​LaTeX ​Aller
Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire
E = (Abit*fabs)/A

Quelle est la signification de ras et cas dans la SDRAM?

La SDRAM reçoit sa commande d'adresse en deux mots d'adresse et utilise un schéma de multiplexage pour enregistrer les broches d'entrée. Le premier mot d'adresse est verrouillé dans la puce DRAM avec le stroboscope d'adresse de ligne (RAS) .Après la commande RAS, il y a le stroboscope d'adresse de colonne (CAS) pour verrouiller le deuxième mot d'adresse. valable pour la lecture.

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