Zone de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
As = Ds*W
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Zone de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur de transition: 89.82 Millimètre --> 0.08982 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
As = Ds*W --> 0.061*0.08982
Évaluer ... ...
As = 0.00547902
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00547902 Mètre carré -->5479.02 Millimètre carré (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
5479.02 Millimètre carré <-- Zone de diffusion de la source
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Zone de diffusion de la source Formule

​LaTeX ​Aller
Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
As = Ds*W

Que pouvez-vous dire du processus de dopage dans le CMOS ?

Le dopage en CMOS est un processus d'introduction d'impuretés dans le matériau semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques. Ce processus peut améliorer les performances des dispositifs CMOS en réduisant la résistance, en augmentant la mobilité et en améliorant l'isolation entre les différents composants. Le dopage peut être réalisé à l'aide de diverses techniques, notamment l'implantation et la diffusion.

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