Facteur d'amplification pour le modèle MOSFET à petit signal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Facteur d'amplification = 1/Libre parcours moyen des électrons*sqrt((2*Paramètre de transconductance de processus)/Courant de vidange)
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables
Fonctions utilisées
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Facteur d'amplification - Le facteur d'amplification est la mesure de l'augmentation de la puissance d'un signal électrique lorsqu'il traverse un appareil. Il est défini comme le rapport entre l'amplitude ou la puissance de sortie et l'amplitude d'entrée.
Libre parcours moyen des électrons - Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Libre parcours moyen des électrons: 2.78 --> Aucune conversion requise
Paramètre de transconductance de processus: 2.1 Ampère par volt carré --> 2.1 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)
Évaluer ... ...
Af = 82.4204261682705
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
82.4204261682705 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
82.4204261682705 82.42043 <-- Facteur d'amplification
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Analyse des petits signaux Calculatrices

Tension de sortie du canal P à petit signal
​ LaTeX ​ Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance aux fuites+Résistance de sortie))
Gain de tension des petits signaux par rapport à la résistance de drain
​ LaTeX ​ Aller Gain de tension = (Transconductance*((Résistance de sortie*Résistance aux fuites)/(Résistance de sortie+Résistance aux fuites)))
Transconductance étant donné les paramètres de petits signaux
​ LaTeX ​ Aller Transconductance = 2*Paramètre de transconductance*(Composante CC de la tension grille-source-Tension totale)
Tension de sortie de petit signal
​ LaTeX ​ Aller Tension de sortie = Transconductance*Tension source-grille*Résistance à la charge

Facteur d'amplification pour le modèle MOSFET à petit signal Formule

​LaTeX ​Aller
Facteur d'amplification = 1/Libre parcours moyen des électrons*sqrt((2*Paramètre de transconductance de processus)/Courant de vidange)
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id)

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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