Concentration de dopant accepteur Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Longueur du transistor [L_t]			+10% -10%
✖La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Largeur du transistor [W_t]			+10% -10%
✖La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.ⓘ Mobilité des trous [μ_p]			+10% -10%
✖La capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface est la capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface.ⓘ Capacité de la couche d'épuisement [C_dep]			+10% -10%

✖La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur.ⓘ Concentration de dopant accepteur [N_a]

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Formule

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Concentration de dopant accepteur

Formule

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Exemple

1E+32 electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2 μm \cdot 5.5 μm \cdot [Charge-e] \cdot 400 m²/V*s \cdot 1.4 μF}

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Concentration de dopant accepteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Cette formule utilise 2 Constantes, 5 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Concentration de dopant accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Mobilité des trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.
Capacité de la couche d'épuisement - (Mesuré en Farad) - La capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface est la capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur du transistor: 3.2 Micromètre --> 3.2E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du transistor: 5.5 Micromètre --> 5.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Mobilité des trous: 400 Mètre carré par volt par seconde --> 400 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la couche d'épuisement: 1.4 microfarades --> 1.4E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Évaluer ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.00788050957133E+32 Électrons par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Électrons par mètre cube <-- Concentration de dopant accepteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)