Calculadora Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero

✖La densidad de dopaje de las paredes laterales se refiere a la concentración de átomos dopantes a lo largo de las paredes laterales de la estructura del transistor.ⓘ Densidad de dopaje en los flancos [N_A(sw)]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje del donante se refiere a la concentración de átomos donadores agregados intencionalmente a un material semiconductor.ⓘ Concentración de dopaje del donante [N_D]			+10% -10%
✖El potencial incorporado de las uniones de paredes laterales se refiere a la unión formada a lo largo de las superficies verticales o de las paredes laterales de la estructura del transistor.ⓘ Potencial incorporado de uniones de paredes laterales [Φ_osw]			+10% -10%

✖El potencial de unión de pared lateral de polarización cero es el potencial incorporado en la unión de pared lateral de ciertas estructuras de transistores.ⓘ Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero [C_j0sw]

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Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencial de unión de pared lateral de polarización cero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidad de dopaje en los flancos*Concentración de dopaje del donante)/(Densidad de dopaje en los flancos+Concentración de dopaje del donante))*1/Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Potencial de unión de pared lateral de polarización cero - (Medido en Faradio) - El potencial de unión de pared lateral de polarización cero es el potencial incorporado en la unión de pared lateral de ciertas estructuras de transistores.
Densidad de dopaje en los flancos - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La densidad de dopaje de las paredes laterales se refiere a la concentración de átomos dopantes a lo largo de las paredes laterales de la estructura del transistor.
Concentración de dopaje del donante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del donante se refiere a la concentración de átomos donadores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado de las uniones de paredes laterales se refiere a la unión formada a lo largo de las superficies verticales o de las paredes laterales de la estructura del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad de dopaje en los flancos: 0.35 Electrones por metro cúbico --> 0.35 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de dopaje del donante: 3.01 Electrones por centímetro cúbico --> 3010000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales: 3.2E-05 Voltio --> 3.2E-05 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Evaluar ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.01249324812588E-07 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Faradio <-- Potencial de unión de pared lateral de polarización cero

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

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Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero

LaTeX Vamos Potencial de unión de pared lateral de polarización cero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidad de dopaje en los flancos*Concentración de dopaje del donante)/(Densidad de dopaje en los flancos+Concentración de dopaje del donante))*1/Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)

Capacitancia de unión de polarización cero

LaTeX Vamos Capacitancia de unión de polarización cero = sqrt((Permitividad del silicio*[Charge-e])/2*((Concentración de dopaje del aceptor*Concentración de dopaje del donante)/(Concentración de dopaje del aceptor+Concentración de dopaje del donante))*1/Potencial de unión incorporado)

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