Calculadora Capacitancia de unión de polarización cero

Capacitancia de unión de polarización cero = sqrt((Permitividad del silicio*[Charge-e])/2*((Concentración de dopaje del aceptor*Concentración de dopaje del donante)/(Concentración de dopaje del aceptor+Concentración de dopaje del donante))*1/Potencial de unión incorporado)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 5 Variables
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Capacitancia de unión de polarización cero - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión de polarización cero se refiere al potencial incorporado de una unión de semiconductores cuando no se le aplica voltaje externo (polarización).
Permitividad del silicio - (Medido en farad por metro) - La permitividad del silicio es una propiedad del material que describe cómo responde un material a un campo eléctrico.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Concentración de dopaje del donante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del donante se refiere a la concentración de átomos donadores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Potencial de unión incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.

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