Función de trabajo en MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Función del trabajo = Nivel de vacío+(Nivel de energía de la banda de conducción-Nivel Fermi)
S = +(Ec-EF)
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Función del trabajo - (Medido en Voltio) - La función de trabajo es la energía necesaria para que un electrón se mueva desde el nivel de Fermi al espacio libre.
Nivel de vacío - (Medido en Joule) - El nivel de vacío es un nivel de energía teórico que proporciona una base para comprender los niveles de energía en las regiones de semiconductores y metales del MOSFET.
Nivel de energía de la banda de conducción - (Medido en Joule) - El nivel de energía de la banda de conducción es una banda de energía dentro del material semiconductor donde los electrones pueden moverse libremente y contribuir a la conducción eléctrica.
Nivel Fermi - (Medido en Joule) - El nivel de Fermi representa el nivel de energía en el que los electrones tienen un 50% de probabilidad de estar ocupados a temperatura del cero absoluto.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Nivel de vacío: 5.1 Electron-Voltio --> 8.17110438300004E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
Nivel de energía de la banda de conducción: 3.01 Electron-Voltio --> 4.82255376330002E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
Nivel Fermi: 5.24 Electron-Voltio --> 8.39540920920004E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
S = qχ+(Ec-EF) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)
Evaluar ... ...
S = 4.59824893710002E-19
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
4.59824893710002E-19 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
4.59824893710002E-19 4.6E-19 Voltio <-- Función del trabajo
(Cálculo completado en 00.015 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verifier Image
Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
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Transistor MOS Calculadoras

Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
​ LaTeX ​ Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))
Potencial de Fermi para el tipo P
​ LaTeX ​ Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)
Capacitancia equivalente de unión de señal grande
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral
Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

Función de trabajo en MOSFET Fórmula

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Función del trabajo = Nivel de vacío+(Nivel de energía de la banda de conducción-Nivel Fermi)
S = +(Ec-EF)
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