Calculadora A a Z
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✖
La densidad de dopaje se refiere a la concentración de átomos dopantes en un material semiconductor. Los dopantes son átomos de impurezas que se introducen intencionalmente en el semiconductor.
ⓘ
Densidad de dopaje [N
d
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
La barrera de potencial Schottky actúa como una barrera para los electrones y la altura de la barrera depende de la diferencia de la función de trabajo entre los dos materiales.
ⓘ
Barrera potencial de Schottky [V
i
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
El voltaje de puerta es el voltaje desarrollado en la unión de la fuente de puerta de un transistor JFET.
ⓘ
Voltaje de puerta [V
g
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
La región de ancho de agotamiento es una región en un dispositivo semiconductor donde no hay portadores de carga libres.
ⓘ
Ancho de la zona de agotamiento [x
depl
]
Angstrom
Unidad Astronómica
Centímetro
Decímetro
Radio ecuatorial de la Tierra
Fermi
Pie
Pulgada
Kilómetro
Año luz
Metro
Micropulgada
Micrómetro
Micrón
Milla
Milímetro
nanómetro
Picómetro
Yarda
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Fórmula
✖
Ancho de la zona de agotamiento
Fórmula
x
depl
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
N
d
)
⋅
(
V
i
-
V
g
)
Ejemplo
0.000159 m
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
9e22 /cm³
)
⋅
(
15.9 V
-
0.25 V
)
Calculadora
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Descargar Tubos y circuitos de microondas Fórmula PDF
Ancho de la zona de agotamiento Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ancho de la región de agotamiento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densidad de dopaje
))*(
Barrera potencial de Schottky
-
Voltaje de puerta
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funciones
,
4
Variables
Constantes utilizadas
[Permitivity-silicon]
- Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Funciones utilizadas
sqrt
- Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Ancho de la región de agotamiento
-
(Medido en Metro)
- La región de ancho de agotamiento es una región en un dispositivo semiconductor donde no hay portadores de carga libres.
Densidad de dopaje
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La densidad de dopaje se refiere a la concentración de átomos dopantes en un material semiconductor. Los dopantes son átomos de impurezas que se introducen intencionalmente en el semiconductor.
Barrera potencial de Schottky
-
(Medido en Voltio)
- La barrera de potencial Schottky actúa como una barrera para los electrones y la altura de la barrera depende de la diferencia de la función de trabajo entre los dos materiales.
Voltaje de puerta
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje de puerta es el voltaje desarrollado en la unión de la fuente de puerta de un transistor JFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Densidad de dopaje:
9E+22 1 por centímetro cúbico --> 9E+28 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Barrera potencial de Schottky:
15.9 Voltio --> 15.9 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de puerta:
0.25 Voltio --> 0.25 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
x
depl
= sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N
d
))*(V
i
-V
g
)) -->
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*9E+28))*(15.9-0.25))
Evaluar ... ...
x
depl
= 0.000159363423174517
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000159363423174517 Metro --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.000159363423174517
≈
0.000159 Metro
<--
Ancho de la región de agotamiento
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Ancho de la zona de agotamiento
Créditos
Creado por
Sonu Kumar Keshri
Instituto Nacional de Tecnología, Patna
(NITP)
,
patna
¡Sonu Kumar Keshri ha creado esta calculadora y 5 más calculadoras!
Verificada por
parminder singh
Universidad de Chandigarh
(CU)
,
Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
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Klystron Calculadoras
Parámetro de agrupación de Klystron
Vamos
Parámetro de agrupamiento
= (
Coeficiente de acoplamiento de vigas
*
Amplitud de la señal de entrada
*
Variación angular
)/(2*
Voltaje del agrupador catódico
)
Conductancia de carga de la viga
Vamos
Conductancia de carga del haz
=
Conductancia de la cavidad
-(
Conductancia cargada
+
Conductancia de pérdida de cobre
)
Pérdida de cobre de la cavidad
Vamos
Conductancia de pérdida de cobre
=
Conductancia de la cavidad
-(
Conductancia de carga del haz
+
Conductancia cargada
)
Conductancia de cavidad
Vamos
Conductancia de la cavidad
=
Conductancia cargada
+
Conductancia de pérdida de cobre
+
Conductancia de carga del haz
Ver más >>
Ancho de la zona de agotamiento Fórmula
Ancho de la región de agotamiento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densidad de dopaje
))*(
Barrera potencial de Schottky
-
Voltaje de puerta
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
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