Calculadora Ancho de la zona de agotamiento

Ancho de la región de agotamiento = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densidad de dopaje))*(Barrera potencial de Schottky-Voltaje de puerta))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - La región de ancho de agotamiento es una región en un dispositivo semiconductor donde no hay portadores de carga libres.
Densidad de dopaje - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad de dopaje se refiere a la concentración de átomos dopantes en un material semiconductor. Los dopantes son átomos de impurezas que se introducen intencionalmente en el semiconductor.
Barrera potencial de Schottky - (Medido en Voltio) - La barrera de potencial Schottky actúa como una barrera para los electrones y la altura de la barrera depende de la diferencia de la función de trabajo entre los dos materiales.
Voltaje de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de puerta es el voltaje desarrollado en la unión de la fuente de puerta de un transistor JFET.

(Cálculo completado en 00.020 segundos)