Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada
Kv = fo/Vi
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados - (Medido en Hercios por voltio) - El factor de conversión de voltaje a frecuencia en los circuitos integrados es un proceso en el que una señal de voltaje de entrada se convierte en una salida de frecuencia correspondiente.
Frecuencia de señal de salida - (Medido en hercios) - La frecuencia de la señal de salida se refiere a la velocidad a la que una señal cambia u oscila en un sistema eléctrico o electrónico.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia de señal de salida: 1.1 hercios --> 1.1 hercios No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.25 Voltio --> 2.25 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Kv = fo/Vi --> 1.1/2.25
Evaluar ... ...
Kv = 0.488888888888889
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.488888888888889 Hercios por voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.488888888888889 0.488889 Hercios por voltio <-- Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados
(Cálculo completado en 00.006 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
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Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ LaTeX ​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ LaTeX ​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada
Kv = fo/Vi
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