Calculadora Caída de voltaje en IGBT en estado ON

✖La corriente directa (IGBT) es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está encendido.ⓘ Corriente directa (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.ⓘ Resistencia del canal N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖La resistencia a la deriva (IGBT) es la región de deriva N del material semiconductor en el dispositivo. La región de deriva N es un silicio grueso dopado que separa el colector de la región de base P.ⓘ Resistencia a la deriva (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖El voltaje Pn Junction 1 (IGBT) es causado por la barrera potencial que existe en el cruce. Esta barrera potencial se crea por la difusión de portadores de carga a través de la unión.ⓘ Tensión Pn Unión 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖La etapa de caída de voltaje en encendido (IGBT) es la diferencia de voltaje entre los terminales del colector y del emisor cuando el IGBT está encendido. Es material semiconductor en el dispositivo.ⓘ Caída de voltaje en IGBT en estado ON [V_ON(igbt)]

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Fórmula

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Caída de voltaje en IGBT en estado ON

Fórmula

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Ejemplo

20.2533 V = 1.69 mA \cdot 10.59 kΩ + 1.69 mA \cdot 0.98 kΩ + 0.7 V

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Caída de voltaje en IGBT en estado ON Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Caída de voltaje en etapa (IGBT) = Corriente directa (IGBT)*Resistencia del canal N (IGBT)+Corriente directa (IGBT)*Resistencia a la deriva (IGBT)+Tensión Pn Unión 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Caída de voltaje en etapa (IGBT) - (Medido en Voltio) - La etapa de caída de voltaje en encendido (IGBT) es la diferencia de voltaje entre los terminales del colector y del emisor cuando el IGBT está encendido. Es material semiconductor en el dispositivo.
Corriente directa (IGBT) - (Medido en Amperio) - La corriente directa (IGBT) es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está encendido.
Resistencia del canal N (IGBT) - (Medido en Ohm) - La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.
Resistencia a la deriva (IGBT) - (Medido en Ohm) - La resistencia a la deriva (IGBT) es la región de deriva N del material semiconductor en el dispositivo. La región de deriva N es un silicio grueso dopado que separa el colector de la región de base P.
Tensión Pn Unión 1 (IGBT) - (Medido en Voltio) - El voltaje Pn Junction 1 (IGBT) es causado por la barrera potencial que existe en el cruce. Esta barrera potencial se crea por la difusión de portadores de carga a través de la unión.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente directa (IGBT): 1.69 Miliamperio --> 0.00169 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Resistencia del canal N (IGBT): 10.59 kilohmios --> 10590 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Resistencia a la deriva (IGBT): 0.98 kilohmios --> 980 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Tensión Pn Unión 1 (IGBT): 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Evaluar ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

20.2533 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

20.2533 Voltio <-- Caída de voltaje en etapa (IGBT)

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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Caída de voltaje en IGBT en estado ON

Vamos Caída de voltaje en etapa (IGBT) = Corriente directa (IGBT)*Resistencia del canal N (IGBT)+Corriente directa (IGBT)*Resistencia a la deriva (IGBT)+Tensión Pn Unión 1 (IGBT)

Tiempo de apagado del IGBT

Vamos Hora de apagado (IGBT) = Tiempo de retardo (IGBT)+Tiempo de caída inicial (IGBT)+Tiempo de caída final (IGBT)

Capacitancia de entrada de IGBT

Vamos Capacitancia de entrada (IGBT) = Capacitancia de puerta a emisor (IGBT)+Capacitancia de puerta a colector (IGBT)

Corriente del emisor de IGBT

Vamos Corriente del emisor (IGBT) = Corriente del agujero (IGBT)+Corriente Electrónica (IGBT)