✖La corriente directa (IGBT) es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está encendido.ⓘ Corriente directa (IGBT) [if(igbt)] | | | +10% -10% |
✖La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.ⓘ Resistencia del canal N (IGBT) [Rch(igbt)] | | | +10% -10% |
✖La resistencia a la deriva (IGBT) es la región de deriva N del material semiconductor en el dispositivo. La región de deriva N es un silicio grueso dopado que separa el colector de la región de base P.ⓘ Resistencia a la deriva (IGBT) [Rd(igbt)] | | | +10% -10% |
✖El voltaje Pn Junction 1 (IGBT) es causado por la barrera potencial que existe en el cruce. Esta barrera potencial se crea por la difusión de portadores de carga a través de la unión.ⓘ Tensión Pn Unión 1 (IGBT) [Vj1(igbt)] | | | +10% -10% |