Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Corriente de polarización de CC - (Medido en Amperio) - La corriente de polarización de CC es la corriente constante que fluye a través de un circuito o dispositivo para establecer un determinado punto de operación o punto de polarización.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje de umbral: 2.3 Voltio --> 2.3 Voltio No se requiere conversión
Corriente de polarización de CC: 985 Miliamperio --> 0.985 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Parámetro de transconductancia del proceso: 2.1 Amperio por voltio cuadrado --> 2.1 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))
Evaluar ... ...
Vgs = 5.36283404397829
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.36283404397829 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.36283404397829 5.362834 Voltio <-- Voltaje puerta-fuente
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Voltaje Calculadoras

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))

¿Qué es el voltaje de entrada diferencial?

El voltaje de entrada diferencial es el voltaje máximo que se puede suministrar a los pines de entrada (entrada no inversora) y de entrada (entrada inversora) sin causar daños o degradar las características del IC.

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