Voltaje umbral de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Vth = Vgs-Veff
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 1.7 Voltio --> 1.7 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Evaluar ... ...
Vth = 2.3
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.3 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.3 Voltio <-- Voltaje de umbral
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Voltaje Calculadoras

Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Características del MOSFET Calculadoras

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)
Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización
​ LaTeX ​ Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)
Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje
​ LaTeX ​ Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo
Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes
​ LaTeX ​ Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Voltaje umbral de MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Vth = Vgs-Veff

¿Qué es el voltaje umbral?

El valor del voltaje a través del óxido en el que se acumula un número suficiente de electrones móviles en la región del canal para formar un canal conductor se denomina voltaje umbral y se denota como V

Explique todo el proceso de la región del canal del MOSFET que forma un capacitor de placas paralelas.

La puerta y la región del canal del MOSFET forman un capacitor de placas paralelas, con la capa de óxido actuando como el dieléctrico del capacitor. El voltaje de puerta positivo hace que se acumule una carga positiva en la placa superior del capacitor (el electrodo de puerta). La carga negativa correspondiente en la placa inferior está formada por los electrones en el canal inducido. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en dirección vertical. Es este campo el que controla la cantidad de carga en el canal y, por lo tanto, determina la conductividad del canal y, a su vez, la corriente que fluirá a través del canal cuando se aplica un voltaje.

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