Ancho de transición de CMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
W = Cmos/Cgs
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.
Capacitancia de superposición de puerta MOS - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición de puerta MOS es una capacitancia que proviene de la construcción del propio dispositivo y generalmente está asociada con sus uniones PN internas.
Capacitancia de puerta MOS - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta MOS es un factor importante en el cálculo de la capacitancia de superposición de la puerta.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de superposición de puerta MOS: 1.8 Microfaradio --> 1.8E-06 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Capacitancia de puerta MOS: 20.04 Microfaradio --> 2.004E-05 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Evaluar ... ...
W = 0.0898203592814371
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.0898203592814371 Metro -->89.8203592814371 Milímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
89.8203592814371 89.82036 Milímetro <-- Ancho de transición
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características del circuito CMOS Calculadoras

Ancho de difusión de la fuente
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ LaTeX ​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ LaTeX ​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Ancho de transición de CMOS Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
W = Cmos/Cgs

¿Cuál es la necesidad del dopaje en CMOS?

El dopaje en la tecnología CMOS se utiliza para introducir impurezas en el material semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas. Al agregar dopantes, se puede aumentar la cantidad de portadores de carga libres (electrones o huecos), lo que permite un mayor control sobre el comportamiento eléctrico del dispositivo. Esto es esencial para crear circuitos CMOS de alto rendimiento que utilicen transistores tipo n y tipo p.

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