El dopaje en la tecnología CMOS se utiliza para introducir impurezas en el material semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas. Al agregar dopantes, se puede aumentar la cantidad de portadores de carga libres (electrones o huecos), lo que permite un mayor control sobre el comportamiento eléctrico del dispositivo. Esto es esencial para crear circuitos CMOS de alto rendimiento que utilicen transistores tipo n y tipo p.