Tiempo de tránsito del transistor PNP Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Tiempo de tránsito - (Medido en Segundo) - El tiempo de tránsito en un transistor es crucial ya que determina la frecuencia máxima a la que el transistor puede funcionar de manera efectiva.
Ancho de la base - (Medido en Metro) - El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.
Constante de difusión para PNP - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Ancho de la base: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Constante de difusión para PNP: 100 Centímetro cuadrado por segundo --> 0.01 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
τf = Wb^2/(2*Dp) --> 0.08^2/(2*0.01)
Evaluar ... ...
τf = 0.32
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.32 Segundo --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.32 Segundo <-- Tiempo de tránsito
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Raúl Gupta
Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab
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Verifier Image
Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)
Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2
Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Tiempo de tránsito del transistor PNP Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
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