Calculadora Frecuencia de transición de MOSFET

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%
✖La capacitancia de la puerta de la fuente es una medida de la capacitancia entre los electrodos de la fuente y de la puerta en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de puerta de fuente [C_sg]			+10% -10%
✖La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de drenaje de puerta [C_gd]			+10% -10%

✖La frecuencia de transición es un término que describe la velocidad o frecuencia a la que se produce un cambio o transición de un estado a otro.ⓘ Frecuencia de transición de MOSFET [f_t]

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Frecuencia de transición de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Frecuencia de transición - (Medido en hercios) - La frecuencia de transición es un término que describe la velocidad o frecuencia a la que se produce un cambio o transición de un estado a otro.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Capacitancia de puerta de fuente - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de la fuente es una medida de la capacitancia entre los electrodos de la fuente y de la puerta en un transistor de efecto de campo (FET).
Capacitancia de drenaje de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta-drenaje es una capacitancia parásita que existe entre la puerta y los electrodos de drenaje de un transistor de efecto de campo (FET).

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de puerta de fuente: 8.16 Microfaradio --> 8.16E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de drenaje de puerta: 7 Microfaradio --> 7E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Evaluar ... ...

f_t = 5.24917358482504

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

5.24917358482504 hercios --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

5.24917358482504 ≈ 5.249174 hercios <-- Frecuencia de transición

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Frecuencia de transición de MOSFET

LaTeX Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

LaTeX Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Capacitancia de superposición de MOSFET

LaTeX Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición

Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET

LaTeX Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

< Características del MOSFET Calculadoras

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

LaTeX Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

LaTeX Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

LaTeX Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

LaTeX Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Frecuencia de transición de MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

¿Por qué se utiliza MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia?

Los MOSFET pueden operar a altas frecuencias, pueden realizar aplicaciones de conmutación rápida con pocas pérdidas de apagado. En comparación con el IGBT, un MOSFET de potencia tiene las ventajas de una mayor velocidad de conmutación y una mayor eficiencia durante la operación a bajos voltajes.

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