Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
gmp = ic/Vt
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Transconductancia primaria MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia primaria MOSFET es el cambio en la corriente de drenaje dividido por el pequeño cambio en el voltaje de puerta/fuente con un voltaje de drenaje/fuente constante.
Colector actual - (Medido en Amperio) - La corriente del colector es una corriente de salida amplificada de un transistor de unión bipolar.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Colector actual: 39.52 Miliamperio --> 0.03952 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Evaluar ... ...
gmp = 0.01976
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.01976 Siemens -->19.76 milisiemens (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
19.76 milisiemens <-- Transconductancia primaria MOSFET
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur
¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido
​ Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación
​ Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2
Voltaje de drenaje instantáneo total
​ Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje
Voltaje de entrada en transistor
​ Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Acciones CV de amplificadores de etapa comunes Calculadoras

Resistencia de entrada del amplificador de emisor común
​ Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^-1
Impedancia de entrada del amplificador de base común
​ Vamos Impedancia de entrada = (1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^(-1)
Voltaje fundamental en un amplificador de emisor común
​ Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia de entrada*Corriente base
Corriente del emisor del amplificador de base común
​ Vamos Corriente del emisor = Voltaje de entrada/Resistencia del emisor

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores Fórmula

Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral
gmp = ic/Vt

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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