Calculadora Parámetro de transconductancia del transistor MOS

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje [i_d]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_gs]			+10% -10%

✖El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).ⓘ Parámetro de transconductancia del transistor MOS [K_n]

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Parámetro de transconductancia del transistor MOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de drenaje: 17.5 Miliamperio --> 0.0175 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre puerta y fuente: 3.34 Voltio --> 3.34 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Evaluar ... ...

K_n = 0.00295184279328667

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00295184279328667 Amperio por voltio cuadrado -->2.95184279328667 Miliamperios por voltio cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Miliamperios por voltio cuadrado <-- Parámetro de transconductancia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

LaTeX Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Voltaje de drenaje instantáneo total

LaTeX Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

LaTeX Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Parámetro de transconductancia del transistor MOS Fórmula

LaTeX Vamos

Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

¿Cómo se aumenta la transconductancia?

Una figura de mérito común para los FET es la transconductancia, y puede aumentarse reduciendo la resistencia del canal mediante un dopaje intenso. Pero esta estrategia degrada la movilidad de los electrones debido a la dispersión del portador por las impurezas ionizadas.

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