Calculadora Transconductancia en la región de saturación en MESFET

✖La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.ⓘ Conductancia de salida [g₀]			+10% -10%
✖El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.ⓘ Voltaje de entrada [V_i]			+10% -10%
✖El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.ⓘ Voltaje umbral [V_G]			+10% -10%
✖El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".ⓘ Voltaje de pellizco [V_p]			+10% -10%

✖La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.ⓘ Transconductancia en la región de saturación en MESFET [G_m]

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Transconductancia en la región de saturación en MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Transconductancia del MESFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Conductancia de salida - (Medido en Siemens) - La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.
Voltaje de pellizco - (Medido en Voltio) - El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Conductancia de salida: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.25 Voltio --> 2.25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 1.562 Voltio --> 1.562 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de pellizco: 2.01 Voltio --> 2.01 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Evaluar ... ...

G_m = 0.0630717433777618

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0630717433777618 Siemens --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transconductancia del MESFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Frecuencia máxima de funcionamiento

LaTeX Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

LaTeX Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Frecuencia de corte MESFET

LaTeX Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

LaTeX Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula

LaTeX Vamos

Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

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