Calculadora Transconductancia en la región de saturación

Transconductancia = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta, suponiendo un voltaje de la fuente de drenaje constante.
Conductancia de salida - (Medido en Siemens) - La conductancia de salida representa la conductancia de la fuente de drenaje de señal pequeña del MOSFET cuando el voltaje de la fuente de la puerta se mantiene constante.
Barrera potencial de diodo Schottky - (Medido en Voltio) - La barrera de potencial del diodo Schottky es la barrera de energía que existe en la interfaz entre un metal y un material semiconductor en un diodo Schottky.
Voltaje de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de puerta se refiere al voltaje aplicado al terminal de control de un MESFET para regular su conductancia. El voltaje de puerta determina la cantidad de portadores de carga libres en el canal.
Voltaje de pellizco - (Medido en Voltio) - El voltaje de desactivación es el voltaje de compuerta al cual el canal queda completamente bloqueado y es un parámetro clave en el funcionamiento de los FET. Es un parámetro importante en el diseño de circuitos.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)