Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro de transconductancia del proceso: 0.015 Amperio por voltio cuadrado --> 0.015 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 3.68 Voltio --> 3.68 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth) --> 0.015*0.1*(4-3.68)
Evaluar ... ...
gm = 0.00048
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00048 Siemens -->0.48 milisiemens (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.48 milisiemens <-- Transconductancia
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur
¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

Transconductancia Calculadoras

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia
​ LaTeX ​ Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
Transconductancia dada corriente de drenaje
​ LaTeX ​ Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)
Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha
​ LaTeX ​ Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha
Drenar corriente usando transconductancia
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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