✖El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.ⓘ Penetración de carga tipo N [xno] | | | +10% -10% |
✖El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.ⓘ Área de unión [Aj] | | | +10% -10% |
✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [Na] | | | +10% -10% |