Calculadora Retraso de tiempo cuando NMOS opera en una región lineal

Región lineal en retardo de tiempo = -2*Capacitancia de unión*int(1/(Parámetro del proceso de transconductancia*(2*(Voltaje de entrada-Voltaje umbral)*x-x^2)),x,Voltaje inicial,Voltaje final)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 7 Variables
int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área por encima del eje x menos el área por debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)Región lineal en retardo de tiempo - (Medido en Segundo) - La región lineal en el retardo de tiempo se define como el retardo que surge de la carga y descarga de los condensadores conectados al NMOS durante los eventos de conmutación.
Capacitancia de unión - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión se refiere a la capacitancia que surge de la región de agotamiento entre los terminales de fuente/drenaje y el sustrato.
Parámetro del proceso de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro del proceso de transconductancia es una constante específica del dispositivo que caracteriza la capacidad del transistor para convertir un cambio en el voltaje de la puerta en un cambio en la corriente de salida.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.
Voltaje inicial - (Medido en Voltio) - El voltaje inicial se refiere al voltaje presente en un punto específico de un circuito al comienzo de una determinada operación o en condiciones específicas.
Voltaje final - (Medido en Voltio) - El voltaje final se refiere al nivel de voltaje alcanzado o medido al finalizar un proceso o evento en particular.

(Cálculo completado en 00.008 segundos)